GaAs plátok alebo substrátový plátok GaAs. 2" plátok GaAs, 3" plátok GaAs, 4" plátok GaAs, 6" plátok GaAs

GaAs doska pre VCSEL, GaAs doska pre LD, GaAs doska pre LED, GaAs doska pre mikroelektroniku.

GaAs substrátové doštičky
ITEM	Jednotka	Špecifikácie aplikácií LD	Špecifikácie aplikácií LED	Špecifikácie mikroelektroniky
Typ správania		n-typu	p-typ/n-typ	-
Metóda rastu kryštálov		VGF	VGF	VGF
Dopant		Si	Zn/Si	Nedopované
Priemer	palec	2", 3", 4" a 6"	2", 3", 4" a 6"	2", 3", 4" a 6"
Orientácia oblátky		(100)±0,1 stupňa	(100)±0,5 stupňa	(100)±0,5 stupňa
OF/IF		USA alebo EJ	USA alebo EJ	US, EJ alebo zárez
Carrire koncentrácia	/cm³	(0.4-2.5)×10¹⁸	(0.5-5)×10¹⁹ (0.4-4)×10¹⁸
Odpor (pri RT)	ohm.cm	(1.2-9.9)×10^-3	(1.2-9.9)×10^-3	>10⁷
Mobilita	cm²/vs	>1500	5-120/>1000	>4000
Hustota jamiek leptania (EPD)	/cm²	<500	<5000	<5000
Laserové značenie		Na požiadanie	Na požiadanie	Na požiadanie
Hrúbka	μm	(350-650)±25	(350-650)±25	(350-650)±25
TTV (P/P)	μm	Menšie alebo rovné 5	Menšie alebo rovné 5	Menšie alebo rovné 4
TTV (P/E)	μm	Menšie alebo rovné 10	Menšie alebo rovné 10	Menšie alebo rovné 10
Warp	μm	Menšie alebo rovné 10	Menšie alebo rovné 10	Menšie alebo rovné 10
Povrch	Strana1 Strana2	Leštené Leštené/leptané	Leštené Leštené/leptané	Leštené Leštené/leptané
Epi-pripravený		áno	áno	áno
Balíček		Kazeta alebo nádoba na jednu oblátku	Kazeta alebo nádoba na jednu oblátku	Kazeta alebo nádoba na jednu oblátku
* Hrúbku a orientáciu plátku je možné špecifikovať.